ОСНОВНОЕ НАПРАВЛЕНИЕ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ:
Разработка, исследование и изготовление мощных полупроводниковых лазеров, излучающих в диапазоне длин волн 800 - 2200 нм .
Виды изготавливаемых полупроводниковых лазеров:
Диапазон длин волн: 1000 – 2000 нм
Излучаемая рабочая мощность: до 200 мВт
Типы корпусов:
ТО-18 (5,6 мм),
SOT-148 (9 мм), открытый теплоотвод
Диапазон длин волн: 900 – 2000 нм
Непрерывная излучаемая рабочая мощность: до 5 Вт
Импульсная излучаемая рабочая мощность:
до 1000 Вт при τ=100нс, до 10 Вт при τ=100пс
Типы корпусов: HHL, ТО-3, открытый теплоотвод
ОСНОВНЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА:
30-летний опыт команды в разработке и изготовлении полупроводниковых лазеров
Наличие полного цикла по изготовлению полупроводниковых лазеров от эпитаксиального роста гетероструктур до готовых приборов
Гибкость производственного процесса – возможность разработки и изготовления лазерных диодов с требуемыми параметрами
ОСНОВНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ:
-МЕТРОЛОГИЯ (локация, контроль волокна, дальнометрия)
-ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ
-МЕДИЦИНА
-НАКАЧКА ВОЛОКОННЫХ И ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ЛАЗЕРОВ
ОБОРУДОВАНИЕ:
Установка МОС-гидридной эпитаксии EMCORE GS/3100
Полный пост-ростовой комплекс изготовления лазерных гетероструктур, включающий:
Фотолитография
Химическое и плазмохимическое травление (установка “ALCATEL”)
Напыление диэлектрических покрытий
Напыление омических контактов
Установки монтажа и корпусирования лазерных диодов
Характеризация и тестирование лазерных диодов
Деградационные стенды